QS5U12TR
1个N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS5U12TR
- 商品编号
- C6632435
- 商品封装
- TSMT5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF@10V |
商品特性
- QS5U12在单个TSMT5封装中集成了N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
- 低导通电阻，开关速度快
- 低电压驱动（2.5V驱动）。
- 内置低正向电压（VF）肖特基势垒二极管。
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准。
应用领域
-负载开关-DC/DC转换