R6509ENJTL
1个N沟道 耐压:650V 电流:9A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6509ENJTL
- 商品编号
- C6636608
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 585mΩ@10V,2.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF@25V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装（3.3 x 3.3 mm占位面积）
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池管理
- 低端负载开关
- 开关电路
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