PMCM4401UPE084
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的4凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 超小封装:0.78 x 0.78 x 0.35 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
-电池开关-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路