- 引脚图
- 焊盘图
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PSMN1R7-25YLD,115
PSMN1R7-25YLD,115
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R7-25YLD,115
- 商品编号
- C6629441
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.404nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体(Nexperia)采用独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术的NextPowerS3产品组合,可实现高效率、低尖峰性能,通常集成肖特基二极管或类肖特基二极管的MOSFET可具备此类性能,但不会产生高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效率应用。
商品特性
- 在I(AS) = 100 A条件下进行100%雪崩测试
- 超低QG、QGD和QOSS,可提高系统效率,尤其在较高开关频率下
- 超快速开关,软恢复
- 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;类肖特基性能,25°C时漏电流< 1 μA
- 针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下工作
- 可波峰焊;外露引脚便于进行最佳目视焊接检查
应用领域
- 服务器和电信设备的板载DC:DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节模块(VRM)
- 负载点(POL)模块
- V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA及系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制