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PJD50N10AL-AU_L2_000A1实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PJD50N10AL-AU_L2_000A1

1个N沟道耐压:100V 电流:42A

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描述: 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@20A < 25mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@15A < 28.5mΩ。先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。采用符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）
品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJD50N10AL-AU_L2_000A1
商品编号: C6628440
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.454767克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	42A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@10V；22mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	83W
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V@250uA

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