G3VM-201G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 固态继电器(MOS输出) | |
| 连续负载电流 | 40mA | |
| 负载电压 | 160V | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 导通电阻 | 50Ω |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离电压(Vrms) | 1.5kV | |
| 导通时间(Ton) | 500us | |
| 截止时间(Toff) | 200us | |
| 功能特性 | - |
商品概述
MOS FET继电器设计用于切换微小信号和模拟信号。
当输出继电器断开时，漏电流最大为1 nA。
应用领域
- 半导体测试设备
- 测试与测量设备
- 通信设备
- 数据记录器
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 固态继电器(MOS输出) | |
| 连续负载电流 | 40mA | |
| 负载电压 | 160V | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 导通电阻 | 50Ω |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离电压(Vrms) | 1.5kV | |
| 导通时间(Ton) | 500us | |
| 截止时间(Toff) | 200us | |
| 功能特性 | - |
MOS FET继电器设计用于切换微小信号和模拟信号。
当输出继电器断开时，漏电流最大为1 nA。