G3VM-81GR1

MOS FET继电器，专为切换微小信号和模拟信号设计。

低输出电容和导通电阻（CXR=32.5 pF·Ω）

符合RoHS标准

应用示例：

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪

端子排列/内部连接：
注意：实际产品与所示图像的标记不同。* 从引脚1标记对角线相反角落的凹陷是由模具上的引脚造成的。

型号列表：

• 封装类型：SOP4
• 接触形式：1a（SPST-NO）
• 端子：表面贴装端子
• 负载电压（峰值）：80V
• 型号：G3VM-81GR1, G3VM-81GR1(TR)
• 最小包装数量：100（每管），2,500（每卷带和卷盘）

绝对最大额定值（Ta=25℃）：

• LED正向电流（IF）：50 mA
• 重复峰值LED正向电流（IFP）：1 A（100 μs脉冲，100 pps）
• LED正向电流降低率（△lF/℃）：-0.5 mA/℃（Ta≥25℃）
• LED反向电压（VR）：5 V
• 连接温度（TJ）：125 ℃
• 负载电压（AC峰值/DC）（VOFF）：80 V
• 连续负载电流（AC峰值/DC）（lo）：200 mA
• 导通电流降低率（△lo/℃）：-2.0 mA/℃（Ta≥25℃）
• I/O之间的介电强度（Vi-0）：1500 Vrms（AC 1分钟）
• 环境工作温度（Ta）：-20 至 +85 ℃（无结冰或冷凝）
• 环境存储温度（Tstg）：-40 至 +125 ℃（无结冰或冷凝）
• 焊接温度：260 ℃（10秒）

电气特性（Ta=25℃）：

• LED正向电压（VF）：1.0至1.3 V（IF = 10 mA）
• 反向电流（IR）：10 μA（VR=5V）
• 端子间电容（CT）：15 pF（V=0, f=1 MHz）
• 触发LED正向电流（IFT）：3 mA（lo=200mA）
• 输出导通时的最大电阻（RON）：5至8 Ω（IF=5mA, lo=200mA）
• 继电器断开时的漏电流（ILEAK）：1 nA（VoFF=80V, Ta=50℃）
• 端子间电容（COFF）：6.5至11 pF（V=0, f=100MHz, t<10s）
• I/O端子间电容（CI-0）：0.7 pF（f = 1 MHz, Vs = 0 V）
• I/O端子间的绝缘电阻（RI-O）：1000 MΩ（VI-0=500VDC, RoH≤60%）
• 导通时间（tON）：0.13至0.5 ms（IF = 5 mA, RL = 200 Ω）
• 关断时间（toFF）：0.17至0.5 ms（VDD =10 V）

推荐工作条件：

• 负载电压（AC峰值/DC）（VDD）：64 V
• 工作LED正向电流（IF）：5至30 mA
• 连续负载电流（AC峰值/DC）（lo）：200 mA
• 环境工作温度（Ta）：25至60 ℃

外观：
SSOOPP（小型封装）SOP4

尺寸：
（单位：mm）
注意：实际产品与所示图像的标记不同。* 从引脚1标记对角线相反角落的凹陷是由模具上的引脚造成的。

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪