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ZTX855
NPN 电流:4A 电压:150V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 150V。 IC = 4A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 TJ 最高可达 200℃，适用于高温操作。 低饱和电压 < 100mV @ 1A。 PD = 1.2W 功率耗散。 互补 NPN 型：ZTX955。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZTX855
- 商品编号
- C6623273
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@1A,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 90MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 60mV@1A,100mA | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
优惠活动
购买数量
(4000个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/袋
总价金额：
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