UF3C065030B3

UF3C065030B3

描述

这款碳化硅场效应晶体管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装，形成常关碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用D²PAK-3L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，与推荐的RC缓冲器配合使用时，非常适合用于开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

品牌名称

Qorvo

商品型号

UF3C065030B3

商品编号

C6581984

商品封装

TO-263(D2PAK)​

包装方式

编带

商品毛重

1.83克(g)