- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UJ4SC075011B7S
UJ4SC075011B7S
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- 品牌名称
- Qorvo
- 商品型号
- UJ4SC075011B7S
- 商品编号
- C6582091
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.006克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
商品概述
UJ4SC075011B7S 是一款 750V、11mW 的第四代碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）。它基于独特的“共源共栅”电路配置，将常开型碳化硅结型场效应晶体管（JFET）与硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）封装在一起，形成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替换”硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）、硅场效应晶体管、碳化硅 MOSFET 或硅超结器件。这款采用 D²PAK - 7L 封装的器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻 RDS(on)：11mW（典型值）
- 工作温度：175°C（最大值）
- 出色的反向恢复：Qrr = 274nC
- 低体二极管 VFSD：1.1V
- 低栅极电荷：QG = 75nC
- 阈值电压 VG(th)：4.5V（典型值），允许 0 至 15V 驱动
- 低固有电容
- 静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）2 级
- D²PAK - 7L 封装，实现更快的开关速度和干净的栅极波形
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热