CY15B256J-SXET

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15B256J-SXET
商品编号: C6580605
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	-

商品概述

CY15B256J是一款256Kb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，其读写操作类似于RAM。它在提供121年可靠数据保留的同时，消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、系统开销及系统级可靠性问题。与EEPROM不同，CY15B256J以总线速度执行写操作，无写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性。由于写操作不需要为写入电路提供内部升高的电源电压，F-RAM在写入时的功耗也远低于EEPROM。CY15B256J能够支持10的13次方次读/写周期，其写入周期数是EEPROM的1000万倍。这些特性使得CY15B256J非常适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如从写入次数可能至关重要的数据记录，到因EEPROM写入时间长可能导致数据丢失的严苛工业控制。这些功能的结合允许系统以更少的开销进行更频繁的数据写入。CY15B256J作为硬件直接替换方案，为串行EEPROM用户带来了显著优势。该器件包含一个只读器件ID，允许主机识别制造商、产品密度和产品版本。器件规格保证在-40℃至+125℃的汽车级E温度范围内有效。

商品特性

256Kb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为32K×8
高耐久性，支持10万亿（10的13次方）次读/写
121年数据保留
无延迟写入
先进的高可靠性铁电工艺
快速两线串行接口（I²C），频率最高可达3.4MHz
可直接硬件替换串行EEPROM
支持100kHz和400kHz的传统时序
包含制造商ID和产品ID的器件标识
低功耗：100kHz下工作电流为500μA，待机电流为500μA，睡眠模式电流为12μA
低电压工作：VDD = 2.0 V 至 3.6 V
汽车级E温度范围：-40℃ 至 +125℃
8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
符合AEC Q100 Grade 1标准
符合有害物质限制（RoHS）标准

数据手册PDF

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