CY62157G18-55BVXA

CY62157G是一款高性能CMOS低功耗（MoBL）SRAM器件，内置ECC。该器件采用双片选使能。双片选使能的器件通过将两个片选使能输入置为有效来访问，即CE1（上划线）置为低电平，CE2置为高电平。数据写入通过将写使能输入（WE）置为低电平，并分别在器件数据（I/O0至I/O15）和地址（A0至A19）引脚上提供数据和地址来执行。字节高低使能（BHE、BLE）输入控制字节写入，并将相应I/O线上的数据写入指定的存储位置。BHE控制I/O8至I/O15；BLE控制I/O0至I/O7。数据读取通过使能输出使能（OE）输入并在地址线上提供所需地址来执行。读取的数据可在I/O线（I/O0至I/O15）上获取。通过使能所需的字节使能信号（BHE、BLE），可以从指定地址位置读取数据的高字节或低字节。当器件被取消选择（双片选使能器件的CE1为高电平/CE2为低电平）或控制信号无效（OE、BLE和BHE）时，所有I/O（I/O0至I/O15）都处于高阻态。这些器件还具有独特的“字节掉电”功能，如果两个字节使能（BHE和BLE）都被禁用，无论片选使能状态如何，器件都能无缝切换到待机模式，从而节省功耗。CY62157G器件提供无铅48球VFBGA、48引脚TSOP I和44引脚TSOP II封装。

• 通过AEC - Q100认证
• 超低待机功耗
• 典型待机电流：5μA
• 最大待机电流：35μA
• 高速：45 ns/55 ns
• 内置纠错码（ECC）用于单比特错误纠正
• 温度范围：汽车A类 -40°C至 +85°C
• 宽工作电压范围：1.65 V至2.2 V，2.2 V至3.6 V
• 1.5 V数据保持
• 晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容输入和输出
• 提供无铅48球VFBGA、48引脚TSOP II和44引脚TSOP I封装