GCMS080B120S1-E1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:30A
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- 品牌名称
- SemiQ
- 商品型号
- GCMS080B120S1-E1
- 商品编号
- C6564311
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@20V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.374nF@1000V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：Q_SW = 14 nC（典型值）
- 输出电荷小：Q_oss = 46 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 4.7 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低： IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 100V）
- 增强型：V_th = 1.5 至 2.5 V（VDS = 10 V， ID = 0.5 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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