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GD25LQ128DSIG引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GD25LQ128DSIG

双路和四路串行闪存,具备快速编程/擦除速度、灵活架构、高速时钟频率、低功耗、高级安全特性等

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商品型号
GD25LQ128DSIG
商品编号
C6564317
商品封装
SOIC-8-208mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.358克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量128Mbit
工作电压1.65V~2V
属性参数值
页写入时间(Tpp)2.4ms
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

GD25LQ128D(128M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI和QPI模式:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。

商品特性

  • 128M位串行闪存
  • 16384K字节
  • 每个可编程页面256字节
  • 标准、双、四SPI,QPI
  • 高速时钟频率
  • 软件/硬件写保护
  • 允许XIP(即取即用)操作
  • 最少100,000次编程/擦除循环
  • 快速编程/擦除速度
  • 灵活的架构
  • 低功耗
  • 先进的安全特性
  • 单电源电压
  • 数据保留

数据手册PDF