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AO3400
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：静电敏感设备。 RDS(ON) < 26.5mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 32mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 48mΩ @ VGS = 2.5V
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- AO3400
- 商品编号
- C6562205
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 单封装内集成由 2.5V 电源电压驱动的 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 的复合类型器件。
- 高密度安装。
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