温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3407
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS =-10 V。 RDS(ON) ≤ 87 mΩ @ VGS =-4.5 V。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。 开关应用
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- AO3407
- 商品编号
- C6562206
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷：QSW = 5.8 nC（典型值）
- 小输出电荷：Qoss = 14.4 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.8 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 60 V）
- 增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器