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TSM80N950CI C0G

1个N沟道耐压:800V 电流:6A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM80N950CI C0G
商品编号: C6561153
商品封装: ITO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
因优值小而具备高性能
高耐用性能
高换向性能
无铅电镀
符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准,并符合 WEEE 指令 2002/96/EC
根据 IEC 61249-2-21 标准无卤
无铅
符合标准
无卤

应用领域

-电源-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	950mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	25W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	19.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	691pF
	反向传输电容(Crss)	9.7pF
	工作温度	-55℃~+150℃