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TSM80N950CI C0G

1个N沟道耐压:800V 电流:6A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM80N950CI C0G
商品编号: C6561153
商品封装: ITO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品特性

~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容性开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关

应用领域

消费电子-显示器(LCD或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	950mΩ@10V,2A
	耗散功率(Pd)	25W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	19.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	691pF@100V
	反向传输电容(Crss)	9.7pF@380V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)