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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EPC2304ENGRT

1个N沟道 耐压:200V 电流:102A

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品牌名称
EPC
商品型号
EPC2304ENGRT
商品编号
C6549215
商品封装
QFN-7(3x5)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)102A
导通电阻(RDS(on))3.1mΩ@5V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))800mV
栅极电荷量(Qg)24nC@5V
输入电容(Ciss)3.195nF
反向传输电容(Crss)2.7pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数,可实现极低的RDS(ON),而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的 QG 和零 QRR。最终结果是,该器件既能处理需要极高开关频率和短导通时间的任务,也能应对导通损耗占主导的任务。

商品特性

  • 栅极易于使用且可靠,典型栅极驱动导通电压为 5 V,关断电压为 0 V(无需负电压)
  • FET 的顶部与源极电连接
  • 更高的效率——更低的传导和开关损耗,零反向恢复损耗
  • 超小封装尺寸——更高的功率密度

应用领域

-同步整流-交流/直流充电器、开关电源、适配器-高频直流-直流转换-D 类音频-无线供电-高功率激光雷达和直接飞行时间测量

数据手册PDF