EPC23103ENGRT

EPC23103 ePower™级集成电路将半桥栅极驱动器与内部高端和低端场效应晶体管（FET）集成在一起。该集成采用了EPC专有的氮化镓（GaN）集成电路技术。单片芯片集成了输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路，用于控制配置为半桥功率级的高端和低端增强型氮化镓（eGaN）输出场效应晶体管。从低端通道到高端通道的稳健电平转换器，设计用于在软开关和硬开关条件下正常工作，即使在大的负钳位电压下也能正常运行，并能避免由快速dv/dt瞬变（包括外部源或其他相位驱动的瞬变）引起的误触发。内部电路集成了逻辑电源和自举电源的充电和禁用功能。增加了保护功能，以防止输出场效应晶体管在电源电压较低甚至完全失电时意外导通。 该单芯片采用倒装芯片到引线框架技术，封装在一个3.5×5毫米的四方扁平无引脚（QFN）封装内。这种封装结构使得从电源端子到下层印刷电路板（PCB）焊盘的寄生电感极低。EPC23103 QFN封装的外露焊盘设计为，高低压引脚之间的间距至少为0.6毫米，以满足100V电压下的IPC爬电规则。另一项改进是，在封装顶部露出氮化镓集成电路管芯的背面，同时将氮化镓管芯的其余部分完全封装起来。

• 集成高端和低端eGaN场效应晶体管，以及内部栅极驱动器和电平转换器
• 5V外部偏置电源
• 3.3V或5V互补金属氧化物半导体（CMOS）输入逻辑电平
• 独立的高端和低端控制输入
• 逻辑互锁功能：当两个输入同时为高电平时，两个场效应晶体管均关断
• 外部电阻可调节开关（SW）的开关时间以及高于电源轨和低于地的过压尖峰
• 稳健的电平转换器，适用于硬开关和软开关条件
• 对快速开关瞬变具有抗误触发能力
• 高端自举电源同步充电
• 禁用输入可使VDRV电源进入低静态电流模式
• 低端VDD电源上电复位
• 高端VBoot电源上电复位
• 当VDRV电源失电时，高端场效应晶体管（HS FET）和低端场效应晶体管（LS FET）的栅极主动下拉
• 热增强型QFN封装，顶部外露，可实现从结到顶部散热器的低热阻

• 降压、升压、降压 - 升压转换器
• 半桥、全桥LLC转换器
• 电机驱动逆变器
• D类音频放大器