CMLDM7120G TR PBFREE
1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMLDM7120G TR PBFREE
- 商品编号
- C6535425
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMLDM7120G是一款增强型N沟道MOSFET,采用N沟道DMOS工艺制造,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)和低阈值电压的特点。
商品特性
- 静电放电(ESD)保护能力高达2 kV
- 低导通电阻rDS(ON)(在VGS = 1.5 V时,最大值为0.25 Ω)
- 高电流(ID = 1.0 A)
- 逻辑电平兼容
应用领域
-负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备
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