CMPDM7003 TR PBFREE
1个N沟道 耐压:50V 电流:280mA
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMPDM7003 TR PBFREE
- 商品编号
- C6535480
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 760pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这些器件是双N沟道增强型MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。CMLDM7003采用美国引脚排列配置，而CMLDM7003J采用日本引脚排列配置。这些器件具有低rDS(ON)特性，并具备高达2kV的ESD保护。
商品特性
- 高达2kV的ESD保护
- 低rDS(ON)
- 低VDS(ON)
- 低阈值电压
- 快速开关
- 逻辑电平兼容
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池供电的便携式设备
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