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FDC5614P-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:6.5A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。沟槽功率 MOSFET。应用：负载开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDC5614P-VB
- 商品编号
- C709954
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V；85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单