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TPM1012R3
1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM1012R3
- 商品编号
- C708743
- 商品封装
- SOT-523-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 410mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 175mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型场效应管功率MOSFET:额定电压1.8V
- 栅源极静电防护:2000V
- 高端开关
- 低导通电阻:0.7Ω
- 低阈值:0.8V(典型值)
- 快速开关速度:10ns
- S前缀适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用
- 符合RoHS标准
- 环保电磁兼容性
- 亚光镀锡(Sn)引脚
- 重量:约0.002g
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理