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TPM2008P3
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.7A
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- 描述
- 特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低漏源导通电阻。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM2008P3
- 商品编号
- C708974
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V,550mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 具备静电放电（ESD）保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换