FT61F143-RB
高性能RISC CPU单片机
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- 描述
- 特性:49条指令,所有指令均为单周期,除了分支跳转。 程序ROM:4k x 14bits,数据RAM:512 x 8bits,数据EEPROM:128 x 8bits,程序代码分扇区保护,1扇区≈1k x 14bits,支持IAP。 16层硬件堆栈。 可选的指令周期:2T/4T,最小指令周期为125ns,16MHz@2T配置下(VDD≥1.9V)。 工作温度范围:-40°C-85°C。 宽工作电压范围:1.9V-5.5V。 两个内部时钟:16M高速高精度HIRC,支持软件微调,每步2.5‰;32K低速低功耗LIRC。 晶体振荡器和外部时钟输入,晶体时钟缺失检测,晶体时钟配置下的双速时钟启动慢时钟周期测量
- 品牌名称
- FMD(辉芒微)
- 商品型号
- FT61F143-RB
- 商品编号
- C708795
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | 其他 | |
| CPU最大主频 | 16MHz | |
| 程序存储容量 | 4KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| I/O数量 | 14 | |
| ADC(位数) | 12bit | |
| 工作电压 | 1.9V~5.5V |
商品特性
- 49条指令,所有指令均为单周期,除了分支跳转
- 存储架构:程序ROM为4k x 14bits,数据RAM为512 x 8bits,数据EEPROM为128 x 8bits,程序代码分扇区保护,1扇区≈1k x 14bits,支持IAP
- 16层硬件堆栈
- 可选的指令周期:2T/4T,最小指令周期为125ns,16MHz@2T配置下(VDD≥1.9V)
- 工作温度范围:-40°C - 85°C
- 宽工作电压范围:1.9V − 5.5V
- 时钟源:两个内部时钟(16M高速高精度HIRC,支持软件微调,每步2.5‰;32K低速低功耗LIRC),晶体振荡器和外部时钟输入,晶体时钟缺失检测,晶体时钟配置下的双速时钟启动慢时钟周期测量
- 7位预分频的16位看门狗,时钟源可选
- 上电复位延时计数器
- 低功耗模式SLEEP,系统时钟可选择保持运行或关闭
- 低电压复位LVR:2.0V/2.2V/2.5V/2.8V/3.1V/3.6V/4.1V
- 低电压检测LVD:内部电压2.0V/2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.0V,或外部输入电压
- 支持ISP和在线调试OCD,3个硬件断点,软复位,单步,暂停,跳跃等
- 程序ROM分区保护功能
- 封装形式:SOP8, MSOP10, SOP14, SOP16, SOP20, QFN20, TSSOP20
- 18个方向独立控制的通用IO:PORTA, PORTB, PORTC
- 18个唤醒管脚:边沿或电平检测
- 18个带上拉功能的管脚,独立控制
- 18个带下拉功能的管脚,独立控制
- 外部复位管脚:PC0
- 18个可编程源电流:4/26mA@5V,其中PC0、PC1支持4/8/26mA@5V
- 18个可编程灌电流IO:max.62mA@5V
- 支持管脚第二功能的重映射
- 1 x USART
- 1个12位的SAR ADC,7个外部通道 + 1个1/4VDD通道,ADC输入通道:AN0 ~ AN6,内部参考电压:VDD, 0.5V, 2V, 3V,外部参考:VREFP, VREFN,手动和自动触发方式,支持延时触发
- TIM1 - 16bit:带16位预分频的16位定时器,自动重载,时钟源为系统时钟、HIRC以及倍频时钟(晶体或HIRC的二倍频)、LIRC,周期、占空比寄存器双缓冲设计,4个独立的捕捉/比较/PWM通道,PWM支持沿对齐、中心对齐、单次脉冲模式,3组带死区控制的互补PWM输出,前沿消隐,故障刹车控制
- TIM2 - 16bit:带15位预分频的16位定时器,自动重载,时钟源为系统时钟、HIRC以及倍频时钟(晶体或HIRC的二倍频)、LIRC,周期、占空比寄存器双缓冲设计,3个独立的捕捉/比较/PWM通道
- TIM4 - 8bit:带8bit预分频的基本定时器,时钟源可选
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