SSM3K16FV,L3F
1个N沟道 耐压:20V 电流:100mA
- 描述
- 特性:适合高密度安装,采用紧凑型封装。 低导通电阻:Ron = 3.0Ω max (VGS = 4V);Ron = 4.0Ω max (VGS = 2.5V);Ron = 15Ω max (VGS = 1.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K16FV,L3F
- 商品编号
- C6497279
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 封装紧凑,适用于高密度贴装
- 低导通电阻:Ron = 3.0 Ω(最大值)(@VGS = 4 V)
- Ron = 4.0 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
- Ron = 15 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
应用领域
-高速开关应用-模拟开关应用
- SSM3K361R,LXHF
- SSM3K59CTB,L3F
- SSM3K7002KFU,LXH
- SSM6J422TU,LXHF
- SSM6K516NU,LF
- SSP1A125BD
- SSP1A4125BDS
- SSQ-101-01-L-S
- SSQ-101-04-T-T
- SSQ-102-01-G-Q
- SSQ-102-02-L-S-RA
- SSQ-102-02-S-T-RA-LL
- SSQ-102-04-T-S
- SSQ-102-24-G-D
- SSQ-103-02-F-D
- SSQ-103-02-F-D-RA
- SSQ-103-03-F-S-RA
- SSQ-103-03-L-S-RA
- SSQ-103-21-L-D
- SSQ-103-21-S-D
- SSQ-104-01-G-D-LL


