SSM3K59CTB,L3F
1个N沟道 耐压:40V 电流:2A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K59CTB,L3F
- 商品编号
- C6497283
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@8V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF@10V |
商品概述
AOD444/AOI444将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的 RDS(on)。这些器件适用于PWM、负载开关和通用应用。