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BSC012N06NS
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 特性：针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 额定温度175℃。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素。 由于源极互连扩大，具有更高的焊点可靠性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC012N06NS
- 商品编号
- C6471337
- 商品封装
- TSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg，Power MOS 7°解决了传导损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的传导和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用常用的SOT - 227封装