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BSC019N06NSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:192A
- 描述
- 特性：针对同步整流进行优化。 额定温度175℃。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC019N06NSATMA1
- 商品编号
- C6471340
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 192A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
适用于基站应用的450 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2170 MHz。
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 额定温度175 °C
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 源极互连增大,提高了焊点可靠性
应用领域
- 用于2110 MHz至2170 MHz频率范围基站和多载波应用的射频功率放大器
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