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RT1E050RPTR
1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 应用：AT/OA设备。 通信。 消费系统。 游戏/娱乐设备
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RT1E050RPTR
- 商品编号
- C6460997
- 商品封装
- TSST-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 累积间距公差：生产载带的模具每10个间距的累积间距公差应在±0.2mm以内
- 最小弯曲半径：载带应具有足够的柔韧性，在最小半径为30mm时，能保护组件不受损坏
- 载带材料：聚苯乙烯两侧涂有特殊碳漆
- 剥离强度：0.1N～1.0N（如果产品存储超过建议的存储条件）
- 推荐存储条件：温度5°C - 40°C，湿度30%RH - 80%RH
- 推荐存储时间：生产后五年
应用领域
- 一般电子设备（如AV/OA设备、通信、消费系统、游戏/娱乐设备）
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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