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WMJ28N60C4引脚图
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WMJ28N60C4

WMJ28N60C4

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商品型号
WMJ28N60C4
商品编号
C702930
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V
耗散功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)27.3nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.775nF
反向传输电容(Crss)1.8pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)64pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

WMOSSTM C4 是第四代超结 MOSFET 系列,采用电荷平衡技术,实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSSTM C4 适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。

商品特性

  • 最大结温(Tj)下,VDS = 650 V
  • 典型 RDS(on) = 0.13 Ω
  • 100% 进行单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 无铅镀层,无卤素

应用领域

  • LED 照明
  • 充电器
  • 适配器
  • 个人电脑(PC)
  • 液晶电视(LCD TV)
  • 服务器

数据手册PDF