2N3019P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
这款2N3019 NPN引脚式硅晶体管器件适用于高可靠性应用。美高森美（Microsemi）还提供众多其他晶体管产品，以满足不同功率等级和开关速度要求，提供通孔和表面贴装两种封装形式。
商品特性
- JEDEC注册的2N3019型号。
- 符合MIL - PRF - 19500/391标准的JAN、JANTX、JANTXV和JANS认证。
- 符合MIL - PRF - 19500/391标准的抗辐射等级。
- 设计符合RoHS标准。
应用领域
- 长引脚TO - 5封装。
- 重量轻。
- 低功耗。