2N3421P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 5uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
该系列高频外延平面晶体管具有低饱和电压的特点。这些器件也有TO - 5和薄型U4封装可供选择。美高森美（Microsemi）还提供众多其他晶体管产品，以满足不同通孔和表面贴装封装形式下，对不同功率等级和开关速度的要求。
商品特性
- JEDEC注册的2N3418至2N3421系列。
- 可提供符合MIL - PRF - 19500/393标准的JAN、JANTX和JANTXV等级产品。
- 有符合RoHS标准的版本（仅商业级）。
- 在集电极电流Ic = 1 A时，集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat) = 0.25 V
- 在集电极电流IC = 1.0 A、基极电流IB1 = 100 mA时，上升时间tr最大为0.22 μs
- 在集电极电流IC = 1.0 A、基极电流IB2 = - 100 mA时，下降时间tf最大为0.20 μs
应用领域
适用于需要高频开关和薄型封装的中功率通用晶体管应用。