2SK1636L-E
2SK1636L-E
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1636L-E
- 商品编号
- C6380605
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。MiniMOS器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)），提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动，可由逻辑IC驱动
- 微型SO-8表面贴装封装，节省电路板空间
- 二极管具有高速软恢复特性
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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