商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 高速开关
- 低驱动电流
- 低导通电阻
- 导通电阻（RDS(on)）典型值为 6.9 mΩ（栅源电压（VGS）= 10 V 时）
- 无铅
- 无卤
- 高密度贴装
应用领域
- “标准级”:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- “高品质级”:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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