温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DM12N65E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 580mΩ@10V,6A | |
| 功率(Pd) | 51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 48.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |