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PSMN4R2-80YSEX
1个N沟道 耐压:80V 电流:170A
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- 描述
- N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56E封装，可在175℃环境下工作。具有极低的RDS(on)和强大的线性模式（SOA）性能，采用高可靠性铜夹LFPAK56E封装。可与最新的“热插拔”控制器配合使用，能够承受启动时的大量浪涌电流，低RDS(on)可将I²R损耗降至最低，完全导通时可实现最佳效率，且占地面积比现有的D2PAK类型小80%。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN4R2-80YSEX
- 商品编号
- C6359025
- 商品封装
- LFPAK56,Power-SO8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113334克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 快速反向恢复时间（trr）
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可简化
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用
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