PSMN6R1-25MLD,115
PSMN6R1-25MLD,115
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN6R1-25MLD,115
- 商品编号
- C6359027
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK33 封装。NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术，实现了通常与内置肖特基或类似肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能，但没有高漏电流的问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率下的高效率应用。
商品特性
- 极低的 QG、QGD 和 QOSS 值，实现高系统效率，尤其适用于较高开关频率
- 超快开关速度，软恢复；s 因子大于 1
- 低尖峰和振铃，适用于低电磁干扰设计
- 独特的“肖特基增强型”技术；肖特基级性能，25°C 时漏电流小于 1 微安
- 优化 4.5 伏栅极驱动
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹带键合和焊料芯片贴装 Mini Power SOP-8 封装；无胶水，无引线键合，符合 175°C 要求
- 外露引脚，便于最佳的目视焊点检查
应用领域
- 服务器和电信设备的车载 DC:DC 解决方案
- 电信应用中的次级同步整流
- 电压调节模块（VRM）
- 点负载（POL）模块
- V 核心、ASIC、DDR、GPU、VGA 和系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制