1个N沟道 耐压:650V 电流:7.8A 高压超结mos
- 1+: ¥3.89 / 个
- 10+: ¥3.17 / 个
- 50+: ¥2.8 / 个 (折合1管140元)
- 100+: ¥2.45 / 个 (折合1管122.5元)
1+: |
¥3.89 / 个 |
10+: |
¥3.17 / 个 |
50+: |
¥2.8 / 个 (折合1管140元) |
100+: |
¥2.45 / 个 (折合1管122.5元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
功率(Pd) | 30W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.6nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 480pF@100V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.1pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |