温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSF80R1K3S
高压超结mos800V/1.3R
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SJ-FET是新一代高压MOSFET系列，利用先进的电荷平衡机制，具有出色的低电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并且没有极端的dv/dt速率和更高的雪崩能量。SJ-FET适用于各种开关模式操作中的AC/DC电源转换，以提高效率。
- 品牌名称
- 上海超致
- 商品型号
- SSF80R1K3S
- 商品编号
- C696587
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
- SJ-FET是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。-这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式操作下的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺SJ-FET
- 850V @TJ = 150 ℃
- 典型RDS(on) = 1.1Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg = 6.5nC）
- 100%雪崩测试
相似推荐
其他推荐