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11NM70G-TN3-R
功率 MOSFET，11A、700V N沟道 超结 MOSFET
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- 描述
- UTC 11NM70 采用超级结 MOSFET 结构，具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低以及出色的雪崩耐量特性。这款功率 MOSFET 通常用于直流 - 直流、交流 - 直流转换器等电力应用领域。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 11NM70G-TN3-R
- 商品编号
- C696252
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.575克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
PM2302采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 出色的导通态漏源电阻（RDS(on)）和低栅极电荷
应用领域
-DC/DC转换器-便携式设备的负载开关-电池开关
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