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7N65G-TC-TM3-T
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 7N65-TC是一款N沟道功率MOSFET，采用UTC先进技术，为客户提供平面条形和DMOS技术。该技术可实现最低导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 7N65G-TC-TM3-T
- 商品编号
- C696253
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 96pF |
商品概述
UTC 7N65-TC 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 UTC 先进技术，为客户提供平面条形和 DMOS 技术。该技术可实现最低导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 UTC 7N65-TC 通常应用于高效开关模式电源。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 1.4 Ω @ VGS = 10V，ID = 3.5A
- 高开关速度
应用领域
- 高效开关模式电源
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