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QM4015S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
QM4015S是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，采用极高的单元密度，具备低导通电阻（Rdson）和低栅极电荷特性。它非常适合用于同步降压转换器应用。QM4015S符合RoHS标准和绿色产品要求，同时具备全面的可靠性。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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