NP35N04YUG-E1-AY
1个N沟道 耐压:40V 电流:35A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP35N04YUG-E1-AY
- 商品编号
- C6344897
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W；77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(on) = 10 mΩ(栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 17.5 A)
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss:典型值Ciss = 1900 pF(漏源电压VDS = 25 V,栅源电压VGS = 0 V)
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 采用8引脚HSON小尺寸封装
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
相似推荐
其他推荐