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NP36P06SLG-E1-AY
1个P沟道 耐压:60V 电流:36A
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- 描述
- 这是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP36P06SLG-E1-AY
- 商品编号
- C6344901
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W；1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
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