- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
US6T6TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 270 | |
| 特征频率(fT) | 360MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 180mV |
商品特性
- 集电极电流大。
- 在集电极电流 IC = -1A、基极电流 IB = -50mA 时，集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat) ≤ 180mV。
应用领域
- 低频放大器
- 驱动器
- USA0J220MDD
- V150A24C500BL3
- NMP1K2-K#CKCC-05
- V150A28H500BN3
- NMP1K2-KHECHH-05
- USB-A-S-S-W-VU
- V150A28M500BN
- NMP1K2-K#CKKE-04
- NMP1K2-KHEECH-00
- USB-AM-S-F-B-TH
- V150A28T500BN2
- NMP1K2-KHEECK-00
- V150A28T500BN3
- USB-AM-S-F-W-TH
- NMP1K2-KHEEEE-00
- V150A36C400BL
- NMP1K2-KHEEEE-05
- NMP1K2-KHEHCE-00
- V150A48C500B3
- NMP1K2-KHEHH#-04
- V150A8C400BN