TSM032NH04CR RLG
1个N沟道 耐压:40V 电流:81A 电流:25A
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- 商品型号
- TSM032NH04CR RLG
- 商品编号
- C6339341
- 商品封装
- PDFNU-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A；81A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.896nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 超结技术
- 因品质因数小而具备高性能
- 高耐用性
- 高换向性能
- 无铅电镀
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，且符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准无卤素
应用领域
- 电源-照明