MX25L5121EMC-20G
CMOS串行闪存存储器,支持串行外设接口,具备自动擦除和编程算法,低功耗
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L5121EMC-20G
- 商品编号
- C6330255
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 512Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 45MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 30uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 650us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
该设备具有串行外设接口和软件协议,允许在简单的三线总线上运行。三个总线信号分别是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过CS#输入可启用对设备的串行访问。
该设备可在整个芯片上进行顺序读取操作。
发出编程/擦除命令后,将执行自动编程/擦除算法,对指定的页面或扇区位置进行编程/擦除和验证。编程命令以页面(32字节)为基础执行,擦除命令可对扇区、块或整个芯片执行。
为方便用户进行接口操作,包含一个状态寄存器来指示芯片的状态。可以发出状态读取命令,通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。
当设备不工作时
商品特性
- 与串行外设接口兼容——模式0和模式3
- 512K:524,288×1位结构;1M:1,048,576×1位结构
- 512Kb有16个相等的4K字节扇区;1Mb有32个相等的4K字节扇区
- 任何扇区都可单独擦除
- 512Kb有相等的64K字节块;1Mb有相等的64K字节块
- 任何块都可单独擦除
- 编程能力:基于字节;基于页面(32字节)
- 单电源操作
- 读、擦除和编程操作电压为2.7~3.6伏
- 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
- 快速读取:45MHz串行时钟
- 快速编程时间:每页典型值180μs,最大值650μs
- 快速擦除时间:每个扇区典型值40ms;每个块典型值1s
- 低功耗
- 低有源读取电流:25MHz时最大5mA,45MHz时最大10mA
- 低有源编程电流:典型值8mA
- 低有源擦除电流:典型值10mA
- 低待机电流:典型值20μA
- 深度掉电电流:典型值2μA
- 典型的100,000次擦除/编程循环
- 20年数据保留
- 输入数据格式:1字节命令代码
- 块锁定保护:BP0~BP1状态位定义了软件保护区域的大小,防止编程和擦除指令
- 自动擦除和自动编程算法:自动擦除并验证所选扇区的数据;通过内部算法自动对所选页面进行编程和验证,该算法自动设置编程脉冲宽度(任何要编程的页面应首先处于擦除状态)
- 状态寄存器功能:电子识别,JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
- SCLK输入:串行时钟输入
- S1输入:串行数据输入
- SO输出:串行数据输出
- WP#引脚:硬件写保护
- 封装:8引脚SOP(150mil);8引脚TSSOP(173mil);8-USON(2×3mm)
- 所有设备均符合RoHS标准且无卤素
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