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MX25L6473FM2I-08G实物图
  • MX25L6473FM2I-08G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25L6473FM2I-08G

MX25L6473FM2I-08G

品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25L6473FM2I-08G
商品编号
C6330257
商品封装
SOIC-8-208mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.283克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量64Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压2.65V~3.6V
属性参数值
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

MX25L6473F是一款64Mb的串行闪存,内部配置为8388608 x 8。在四I/O模式下,其结构变为16777216位 x 4;在双I/O模式下,结构变为33554432位 x 2。MX25L6473F具有串行外设接口和软件协议,在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行,三条总线信号为

商品特性

  • 多I/O支持 - 单I/O、双I/O和四I/O
  • 自动擦除和自动编程算法
  • 编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复
  • QE位永久固定,QE = 1;启用4 I/O模式
  • 支持串行外设接口 - 模式0和模式3
  • 67108864 x 1位结构或33554432 x 2位(双I/O读取模式)结构或16777216 x 4位(四I/O模式)结构
  • 2048个相等的扇区,每个扇区4K字节 - 任何扇区都可单独擦除
  • 256个相等的块,每个块32K字节 - 任何块都可单独擦除
  • 128个相等的块,每个块64K字节 - 任何块都可单独擦除
  • 电源操作
  • 读取、擦除和编程操作的电压为2.65 ~ 3.6伏
  • 从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100 mA
  • QE位永久固定,QE = 1且启用4 I/O模式
  • 高性能VCC = 2.65~3.6V
  • 正常读取 - 50MHz
  • 快速读取
  • FAST_READ、DREAD、QREAD:带8个空周期的133MHz
  • 2READ:带4个空周期的80MHz,带8个空周期的133MHz
  • 4READ:带6个空周期的80MHz,带10个空周期的133MHz
  • 2READ和4READ操作的空周期数可配置
  • 8/16/32/64字节环绕突发读取模式
  • 低功耗
  • 典型的100000次擦除/编程周期
  • 20年数据保留
  • 输入数据格式 - 1字节命令代码
  • 高级安全特性
  • BP0 - BP3块组保护
  • 额外的8K位安全OTP
  • 具有唯一标识符
  • 工厂锁定可识别,客户可锁定
  • 自动擦除和自动编程算法
  • 自动擦除并验证所选扇区的数据
  • 通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据,该算法自动确定编程脉冲宽度(任何要编程的页面应首先处于擦除状态)
  • 状态寄存器特性
  • 命令复位
  • 编程/擦除暂停
  • 编程/擦除恢复
  • 电子识别
  • JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
  • RES命令用于获取1字节设备ID
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
  • SCLK输入 - 串行时钟输入
  • SI/SIO0 - 串行数据输入或双I/O模式的串行数据输入/输出或四I/O模式的串行数据输入/输出
  • SO/SIO1 - 串行数据输出或双I/O模式的串行数据输入/输出或四I/O模式的串行数据输入/输出
  • SIO2 - 四I/O模式的串行数据输入/输出
  • SIO3 - 四I/O模式的串行数据输入/输出
  • 封装
  • 8引脚SOP(200mil)
  • 8-WSON(6x5mm)
  • 所有器件均符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF