VN10KC-T1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 齐纳二极管输入保护
- 低导通电阻:3 Ω
- 超低阈值:1.2 V
- 低输入电容:38 pF
- 低输入和输出泄漏电流
- 额外的静电放电保护
- 低失调电压
- 低电压工作
- 高速,易于驱动
- 低误差电压
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 感性负载驱动器
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