商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 栅极开关易于控制
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.41Ω（典型值）
- 增强型：Vth = 2 至 4 V（VDS = 10 V，ID = 0.46 mA）
应用领域
- 开关电源
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